Chine Semi-conducteur discret

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  SPB21N10

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:4V @ 44μA

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  Le nombre de personnes concernées par l'exemption est le suivant:

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 60μA

  Contactez
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  Le nombre total d'équipements utilisés est de:

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 110μA

  Contactez
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  Le nombre de personnes concernées par les mesures de sécurité

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 20µA

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  Les mesures de sécurité doivent être prises conformément à l'annexe I, partie II, du règlement (CE) no 216/2008.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 135 μA

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  Les données sont fournies par les autorités compétentes.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 20µA

  Contactez
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  Les mesures de contrôle doivent être prises conformément aux dispositions de la présente directive.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 250μA

  Contactez
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  Les mesures de sécurité doivent être prises conformément à l'annexe II.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 55μA

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  Le système de détection de la pollution doit être conforme à l'annexe II.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 80μA

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  Le nombre d'étoiles est déterminé par le nombre d'étoiles.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Statut du produit:Actif

  Type de montage:Monture de surface

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  Article 2K0FUE

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Statut du produit:Actif

  Type de montage:Montage du châssis

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  STAC2932FW, qui est le

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Statut du produit:Dépassé

  Configuration:N-canal

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