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Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Transistor MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
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description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS Caractéristique de FET: -
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 110μA Température de fonctionnement: -55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier: TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à Type de FET: N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 4.5V, 10V Le paquet: Tape et bobine (TR)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 30 V Vgs (maximum): ± 20 V
Statut du produit: Dépassé La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Type de montage: Monture de surface Série: OptiMOS™
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: PG-TO263-3-2 Mfr: Infineon Technologies
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 80A (comité technique) Dissipation de puissance (maximum): 167W (comité technique)
La technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Numéro du produit de base: Le numéro SPB80N

N-canal 30 V 80A (Tc) 167W (Tc) Monture de surface PG-TO263-3-2

Produit Tag:

IC à transistors,

Transistors Circuits intégrés,

Système de commande ICS à transistors

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