Chine Semi-conducteur discret

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  Pour les véhicules à moteur électrique

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Statut du produit:Arrêté par Digi-Key

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  Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Statut du produit:Arrêté par Digi-Key

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  Pour les appareils de type IRLR7833TR

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:50 OR @ 4,5 V

  Statut du produit:Dépassé

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  Le modèle ZXM41N10FTA

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Statut du produit:Dépassé

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  Pour les appareils de type IRLR

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:32 nC @ 4,5 V

  Statut du produit:Dépassé

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  IRFR3707Z

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:14 nC à 4,5 V

  Statut du produit:Dépassé

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  Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 250μA

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  Le nombre d'émissions de CO2

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 60μA

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  IRLR8113

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:32 nC @ 4,5 V

  Statut du produit:Dépassé

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  Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 500μA

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  Le numéro de série FQD4P25TF

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:5V @ 250µA

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  Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 40μA

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