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Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Contact

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description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS Caractéristique de FET: -
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 20µA Température de fonctionnement: -55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier: TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63 Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V Type de FET: N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 4.5V, 10V Le paquet: Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 25 V Vgs (maximum): ± 20 V
Statut du produit: Dépassé La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
Type de montage: Monture de surface Série: OptiMOS™
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: Le nombre d'heures de travail est de: Mfr: Infineon Technologies
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 50A (comité technique) Dissipation de puissance (maximum): 63W (comité technique)
La technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Numéro du produit de base: Le numéro d'enregistrement

N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Monture de surface PG-TO252-3-11

Produit Tag:

IC à transistors,

Transistors Circuits intégrés,

Système de commande ICS à transistors

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