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Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3 est utilisé
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Le nombre de personnes concernées par les mesures de sécurité

description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS Caractéristique de FET: -
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 20µA Température de fonctionnement: -55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier: TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V Type de FET: N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 4.5V, 10V Le paquet: Tape et bobine (TR)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 25 V Vgs (maximum): ± 20 V
Statut du produit: Dépassé La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Type de montage: Monture de surface Série: OptiMOS™
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: PG-TO263-3-2 Mfr: Infineon Technologies
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 30A (comité technique) Dissipation de puissance (maximum): Le nombre de cycles est déterminé par le nombre de cycles.
La technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Numéro du produit de base: Le code IPB14N

N-canal 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Monture de surface PG-TO263-3-2

Produit Tag:

IC à transistors,

Transistors Circuits intégrés,

Système de commande ICS à transistors

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