Chine Semi-conducteur discret

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  Le système de contrôle de l'eau doit être équipé d'un système de contrôle de l'eau.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 350μA

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  Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide acétique.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:136 nC @ 10 V

  Statut du produit:Dépassé

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  SPA04N60C3XKSA1

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 200 μA

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  Pour les appareils à combustion

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 370 μA

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  Le numéro de série BSL 207SP

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:20 OR @ 4,5 V

  Statut du produit:Dépassé

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  Pour les appareils à commande numérique

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:2.26 nC @ 10 V

  Statut du produit:Dépassé

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  Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide acétique.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:50.4 nC @ 4,5 V

  Statut du produit:Dépassé

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  Le nombre d'émissions de CO

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 50μA

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  Pour les appareils à combustion

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:6.4 nC @ 10 V

  Statut du produit:Dépassé

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  Le nombre d'émissions de CO2

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 80μA

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  Le nombre d'émissions de CO2

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 20µA

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  BSS223PW L6327

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:00,62 nC @ 4,5 V

  Statut du produit:Dépassé

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