Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:-
Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 350μA
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:136 nC @ 10 V
Statut du produit:Dépassé
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Caractéristique de FET:-
Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 200 μA
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Caractéristique de FET:-
Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 370 μA
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:20 OR @ 4,5 V
Statut du produit:Dépassé
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:2.26 nC @ 10 V
Statut du produit:Dépassé
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:50.4 nC @ 4,5 V
Statut du produit:Dépassé
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:-
Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 50μA
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:6.4 nC @ 10 V
Statut du produit:Dépassé
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:-
Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 80μA
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:-
Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 20µA
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:00,62 nC @ 4,5 V
Statut du produit:Dépassé