Chine Semi-conducteur discret

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  Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 250μA

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  Les données sont fournies par les autorités compétentes.

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 20µA

  Contactez
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  SPP21N10

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:4V @ 44μA

  Contactez
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  Le nombre d'émissions de CO

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 60μA

  Contactez
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  Le nombre de personnes concernées par l'examen

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 100μA

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  SPA21N50C3XKSA1

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 1mA

  Contactez
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  Le nombre de personnes concernées par l'examen

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:2V @ 20µA

  Contactez
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  SPP16N50C3HKSA1

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 675μA

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  SPA04N50C3XKSA1

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 200 μA

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  SPP04N60C3HKSA1

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 200 μA

  Contactez
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  SPP21N50C3HKSA1

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Caractéristique de FET:-

  Vgs(th) (maximum) @ Id:3.9V @ 1mA

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  Le numéro de série BSL211SP

  Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

  Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:12.4 nC @ 4,5 V

  Statut du produit:Dépassé

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