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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

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Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

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description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS Caractéristique de FET: -
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 40μA Température de fonctionnement: -55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier: Avances du short TO-251-3, IPak, TO-251AA Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à Type de FET: N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 4.5V, 10V Le paquet: Tuyaux
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 25 V Vgs (maximum): ± 20 V
Statut du produit: Dépassé La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Type de montage: À travers le trou Série: OptiMOS™
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: P-TO251-3-1 Mfr: Infineon Technologies
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 50A (comité technique) Dissipation de puissance (maximum): 83W (comité technique)
La technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Numéro du produit de base: Le nombre d'unités

N-canal 25 V 50 A (Tc) 83 W (Tc) à travers le trou P-TO251-3-1

Coordonnées
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Personne à contacter: Miss. Coral

Téléphone: +86 15211040646

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