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IRLR8113

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Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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IRLR8113

description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: 32 nC @ 4,5 V
Statut du produit: Dépassé Type de montage: Monture de surface
Le paquet: Tuyaux La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Série: HEXFET® Vgs (maximum): ± 20 V
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.25V @ 250µA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: D-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Mfr: Infineon Technologies
Température de fonctionnement: -55°C à 175°C (TJ) Type de FET: N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 4.5V, 10V Dissipation de puissance (maximum): Pour les appareils à commande numérique
Emballage / boîtier: TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63 Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 30 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 94A (comité technique) La technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Caractéristique de FET: -

N-canal 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Monture de surface D-Pak

Produit Tag:

IC à transistors,

Transistors Circuits intégrés,

Système de commande ICS à transistors

Coordonnées
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