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Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Le débit de l'appareil est de 30 V à 100 A.
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description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS Caractéristique de FET: -
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2V @ 250μA Température de fonctionnement: -55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier: TO-262-3 mène longtemps, je ² PAK, TO-262AA Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Type de FET: N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 10 V Le paquet: Tuyaux
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 30 V Vgs (maximum): ± 20 V
Statut du produit: Dépassé La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Type de montage: À travers le trou Série: OptiMOS™
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: Le nombre d'étoiles est déterminé. Mfr: Infineon Technologies
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 100A (comité technique) Dissipation de puissance (maximum): 300W (comité technique)
La technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Numéro du produit de base: Le SPI100N

N-canal 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) à travers le trou PG-TO262-3-1

Produit Tag:

IC à transistors,

Transistors Circuits intégrés,

Système de commande ICS à transistors

Coordonnées
Sensor (HK) Limited

Personne à contacter: Liu Guo Xiong

Téléphone: +8618200982122

Télécopieur: 86-755-8255222

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