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HN1A01FE-GR,LF, qui contient des données sur les véhicules à moteur.

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HN1A01FE-GR,LF, qui contient des données sur les véhicules à moteur.

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Image Grand :  HN1A01FE-GR,LF, qui contient des données sur les véhicules à moteur.

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: HN1A01FE-GR,LF feuille de données pdf et Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays détails du produit du

HN1A01FE-GR,LF, qui contient des données sur les véhicules à moteur.

description de
Numéro de la partie: HN1A01FE-GR,LF, qui contient des données sur les véhicules à moteur. Produit de fabrication: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation (en anglais seulement)
Définition: Des modèles alternatifs sont disponibles. Cycle de vie: Nouveau de ce fabricant
feuille de données: HN1A01FE-GR,LF Fiche de données PDF Livraison: DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement: T/T Paypal Visa Monégramme Western Union En savoir plus: HN1A01FE-GR,LF Plus d'informations
La CEAD: Demandez des modèles CAO gratuits Prix (en dollars américains): Je ne veux pas de ça.06
Nom de l'entreprise: Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation. Tenssion est l'un des distributeurs. Montagne: Monture de surface
Polarité: PNP Nombre de broches: 6
Voltage de rupture maximal: 50 V Dissipation de puissance maximale: 100 mW
Voltage de base de l'émetteur (VEBO): -5 V Voltage de base du collecteur (VCBO): -50 V
Tension de claquage collecteur-émetteur: 50 V Catégorie des produits: Semi-conducteurs discrets - Transistors - Bipolaire (BJT) - Ensembles
feuille de données: Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises en matière de sécurité et de sécurité Quantité utilisée: 2065 en stock
Applications: Épreuve et mesure Le stockage des données Réseaux câblés minute de hFE: 120
emballage: Tape et bobine (TR) fréquence de transition: 80 MHz
Max Collector Current: 150 mA Produit de bande passante de gain: 80 MHz
Courant de collecteur continu: - 150 mA Tension de collecteur-émetteur (VCEO): 300 système mv
Tension de saturation de collecteur-émetteur: -300 système mv

HN1A01FE-GR,LF est un modèle appartenant à la sous-catégorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays sous Discrete Semiconductor.Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons HN1A01FE-GR, LF images haute définition et feuilles de données pour référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. HN1A01FE-GR,LF est largement utilisé dans les tests et les mesures, le stockage de données, les réseaux filaires. Il est fabriqué par Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation et distribué par Fans,Tensions et autres distributeurs. HN1A01FE-GR,LF peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en HN1A01FE-GR,LF est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie Transistors à semi-conducteurs discrets - Bipolaire (BJT) - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour ce qui est de la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, comme DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
Fiche de données PDF

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Sensor (HK) Limited

Personne à contacter: Liu Guo Xiong

Téléphone: +8618200982122

Télécopieur: 86-755-8255222

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