Aperçu ProduitsProduits semiconducteurs discrets

Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 conformément à l'annexe II.

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Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Fiche de données IKW50N65EH5XKSA1 pdf et Transistors - IGBTs - Détails du produit unique du stock IR

Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 conformément à l'annexe II.

description de
Numéro de la partie: Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 conformément à l'annexe II Produit de fabrication: IR (Infineon Technologies)
Définition: Des modèles alternatifs sont disponibles. Cycle de vie: Nouveau de ce fabricant
feuille de données: Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE. Livraison: DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement: T/T Paypal Visa Monégramme Western Union En savoir plus: IKW50N65EH5XKSA1 Pour plus d'informations
La CEAD: Demandez des modèles CAO gratuits Prix (en dollars américains): 5 $ pour le coup.15
Nom de l'entreprise: Fabricant: IR (Infineon Technologies). Tenssion est l'un des distributeurs. Une large gamme d'applic Montagne: À travers le trou
Programme B: 8541290080 Nombre de broches: 3
Dissipation du pouvoir: 275 W Temps de retard d'arrêt: 172 ns
Max Collector Current: 80 A Temps de rétablissement inverse: 81 ans
Min Operating Temperature: -40 °C Max Junction Temperature (Tj): °C 175
Tension de claquage collecteur-émetteur: 650 V Catégorie des produits: Semi-conducteurs discrets - Transistors - IGBTs - Uniques
feuille de données: Il s'agit d'un système de mesure de la pollution. Quantité utilisée: 7315 En stock
Applications: Systèmes avancés d'assistance au conducteur (ADAS) Automatisation et contrôle d'usine Télévision Taille: 25,4 millimètres
Cas/paquet: TO-247 Quantité du colis: 240
Temps de retard d'ouverture: 25 ns Configuration d'élément: Unique
Dissipation de puissance maximale: 275 W Température maximale de fonctionnement: °C 175
Courant de collecteur continu: 80 A Tension de collecteur-émetteur (VCEO): 650 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur: 1,65 V

L'IKW50N65EH5XKSA1 est un modèle appartenant à la sous-catégorie des transistors - IGBTs - sous la sous-catégorie des semi-conducteurs discrets.Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons IKW50N65EH5XKSA1 images haute définition et feuilles de données pour référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. IKW50N65EH5XKSA1 est largement utilisé dans les systèmes d'assistance au conducteur avancés (ADAS), l'automatisation et le contrôle d'usine, la télévision. Il est fabriqué par IR (Infineon Technologies) et distribué par Fans,Tensions et autres distributeurs. IKW50N65EH5XKSA1 peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail. Actuellement, nous avons suffisamment de fournitures.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en IKW50N65EH5XKSA1 est insuffisant, nous avons également d'autres modèles sous la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - IGBT - catégorie unique pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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Coordonnées
Sensor (HK) Limited

Personne à contacter: Liu Guo Xiong

Téléphone: +8618200982122

Télécopieur: 86-755-8255222

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