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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT) | Courant - collecteur (Ic) (maximum): | 100 MA |
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| Statut du produit: | Actif | Type de transistor: | NPN - Pré-décentré |
| Type de montage: | Monture de surface | Fréquence - Transition: | 250 MHz |
| Le paquet: | Tape et bobine (TR) | Série: | - |
| Vce saturation (max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA | Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): | 50 V |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: | Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe | Résistance - Base (R1): | 22 kOhms |
| Mfr: | Diotec Semi-conducteur | Courant - Coupe du collecteur (maximum): | 100nA (ICBO) |
| Puissance maximale: | 200 mW | Emballage / boîtier: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit. |
| Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V | Numéro du produit de base: | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin. |
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)
Personne à contacter: Liu Guo Xiong
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