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BCR141W

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Image Grand :  BCR141W

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Transistor numérique bipolaire
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BCR141W

description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT) Courant - collecteur (Ic) (maximum): 100 MA
Statut du produit: Actif Type de transistor: NPN - Pré-décentré
Fréquence - Transition: 130 mégahertz Type de montage: Monture de surface
Le paquet: Produits en vrac Série: -
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil. Résistance - Base (R1): 22 kOhms
Mfr: Infineon Technologies Résistance - Base de l'émetteur (R2): 22 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum): 100nA (ICBO) Puissance maximale: 250mW
Emballage / boîtier: SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés. Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base: BCR141

Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Monture de surface PG-SOT323-3-1

Produit Tag:

IC à transistors,

Transistors Circuits intégrés,

Système de commande ICS à transistors

Coordonnées
Sensor (HK) Limited

Personne à contacter: Liu Guo Xiong

Téléphone: +8618200982122

Télécopieur: 86-755-8255222

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