|
Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
|
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT) | Courant - collecteur (Ic) (maximum): | 70 mA |
|---|---|---|---|
| Statut du produit: | Actif | Type de transistor: | PNP - Pré-participation |
| Fréquence - Transition: | 150 mégahertz | Type de montage: | Monture de surface |
| Le paquet: | Produits en vrac | Série: | - |
| Vce saturation (max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA | Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): | 50 V |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: | PG-SOT323-3 | Résistance - Base (R1): | 47 kOhms |
| Mfr: | Infineon Technologies | Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 22 kOhms |
| Courant - Coupe du collecteur (maximum): | 100nA (ICBO) | Puissance maximale: | 250mW |
| Emballage / boîtier: | SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés. | Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 50 @ 5mA, 5V |
| Numéro du produit de base: | BCR196 |
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 70 mA 150 MHz 250 mW Monture de surface PG-SOT323-3
Personne à contacter: Liu Guo Xiong
Téléphone: +8618200982122
Télécopieur: 86-755-8255222