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Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:

Définition:	Transistors génétiquement modifiés bipolaires

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description de

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)	Courant - collecteur (Ic) (maximum):	100 mA
Statut du produit:	Actif	Type de transistor:	2 PNP (double)
Type de montage:	Monture de surface	Fréquence - Transition:	250 MHz
Le paquet:	Produits en vrac	Série:	-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:	650mV @ 5mA, 100mA	Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	65V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le code SOT-363	Mfr:	Infineon Technologies
Courant - Coupe du collecteur (maximum):	15nA (ICBO)	Puissance maximale:	250mW
Emballage / boîtier:	Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes s	Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	200 @ 2mA, 5V	Numéro du produit de base:	BC856

Transistor bipolaire (BJT) Array 2 PNP (double) 65V 100mA 250MHz 250mW Monture de surface SOT-363

Produit Tag:

IC à transistors,

Coordonnées

SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Personne à contacter: Miss. Coral

Téléphone: +86 15211040646

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