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PBSS5130PAP,115

PBSS5130PAP,115
PBSS5130PAP,115

Image Grand :  PBSS5130PAP,115

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Maintenant, le Nexus PBSS5130PAP est petit.

PBSS5130PAP,115

description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT) Courant - collecteur (Ic) (maximum): 1A
Statut du produit: Actif Type de transistor: 2 PNP (double)
Type de montage: Monture de surface Fréquence - Transition: 125MHz
Le paquet: Produits en vrac Série: -
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: Pour les appareils de commande électronique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égal Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 30 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: 6-HUSON (2x2) Mfr: NXP États-Unis Inc.
Courant - Coupe du collecteur (maximum): 100nA (ICBO) Puissance maximale: 510 mW
Emballage / boîtier: La plaque exposée 6-UFDFN Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: 170 @ 500 mA, 2 V Numéro du produit de base: Le numéro PBSS5130

Transistors bipolaires (BJT) Array 2 PNP (double) 30V 1A 125MHz 510mW Monture de surface 6-HUSON (2x2)

Coordonnées
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Personne à contacter: Miss. Coral

Téléphone: +86 15211040646

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