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NSS60101DMR6T1G

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Image Grand :  NSS60101DMR6T1G

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, bas

NSS60101DMR6T1G

description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT) Courant - collecteur (Ic) (maximum): 1A
Statut du produit: Dépassé Type de transistor: 2 NPN (doubles)
Type de montage: Monture de surface Fréquence - Transition: 200 MHz
Le paquet: Produits en vrac Série: -
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: 250 mV @ 50 mA, 1A Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 60 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: SC-74 Mfr: Uniseme
Courant - Coupe du collecteur (maximum): 100nA (ICBO) Puissance maximale: 400mW
Emballage / boîtier: SC-74, SOT-457 Température de fonctionnement: -55°C à 150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100 mA, 5 V Numéro du produit de base: NSS60101

Transistors bipolaires (BJT) Array 2 NPN (double) 60V 1A 200MHz 400mW Monture de surface SC-74

Coordonnées
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Personne à contacter: Miss. Coral

Téléphone: +86 15211040646

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