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BFP740E6327

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Image Grand :  BFP740E6327

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où les données sont utilisées.

BFP740E6327

description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT) Courant - collecteur (Ic) (maximum): 30 mA
Statut du produit: Actif Type de transistor: NPN
Type de montage: Monture de surface Fréquence - Transition: 42 GHz
Le paquet: Produits en vrac Série: -
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 4.7V Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: Le produit doit être présenté dans les conditions suivantes:
Mfr: Infineon Technologies Figure du bruit (dB Typ @ f): 0La fréquence d'écoulement de l'appareil est de 0,05 dB @ 1,8 GHz ~ 6 GHz
Puissance maximale: 160mw Les gains: 27dB
Emballage / boîtier: SC-82A, SOT-343 Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V

Transistor RF NPN 4,7V 30mA 42GHz 160mW Monture de surface PG-SOT343-4

Coordonnées
Sensor (HK) Limited

Personne à contacter: Liu Guo Xiong

Téléphone: +8618200982122

Télécopieur: 86-755-8255222

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