BFP640E6327

Name: BFP640E6327
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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Image Grand : BFP640E6327

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:

Définition:	Transistors bipolaires RF

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description de

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)	Courant - collecteur (Ic) (maximum):	50 mA
Statut du produit:	Actif	Type de transistor:	NPN
Type de montage:	Monture de surface	Fréquence - Transition:	40 GHz
Le paquet:	Produits en vrac	Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	4.5V	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le produit doit être présenté dans les conditions suivantes:
Mfr:	Infineon Technologies	Figure du bruit (dB Typ @ f):	0Pour les appareils de surveillance, les données doivent être fournies à l'autorité compétente.
Puissance maximale:	200mw	Les gains:	24 dB
Emballage / boîtier:	SC-82A, SOT-343	Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	110 @ 30 mA, 3 V