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BFS17WE6327

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Image Grand :  BFS17WE6327

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Transistors bipolaires RF

BFS17WE6327

description de
Catégorie: Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT) Courant - collecteur (Ic) (maximum): 25 mA
Statut du produit: Actif Type de transistor: NPN
Type de montage: Monture de surface Fréquence - Transition: 1.4GHz
Le paquet: Produits en vrac Série: -
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 15 V Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: Le SOT-323
Mfr: Infineon Technologies Figure du bruit (dB Typ @ f): 3La fréquence d'écoulement doit être de 0,5 dB à 5 dB @ 800 MHz
Puissance maximale: 280 mW Les gains: -
Emballage / boîtier: SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés. Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V

Transistor RF NPN 15V 25mA 1,4 GHz 280mW Monture de surface SOT-323

Coordonnées
Sensor (HK) Limited

Personne à contacter: Liu Guo Xiong

Téléphone: +8618200982122

Télécopieur: 86-755-8255222

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