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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.):: | 25 V | Catégorie de produit:: | Transistors bipolaires RF |
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| Le gain:: | - | Le stock de l'usine:: | 177000 |
| Type de transistor:: | NPN | Quantité minimale:: | 3000 |
| Package du fournisseur:: | Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe | Figure du bruit (dB Typ @ f):: | - |
| Statut de la partie:: | Actif | Courant - collecteur (Ic) (maximum):: | - |
| Puissance maximale:: | 225mW | Emballage:: | Tape et bobine (TR) |
| @ qty :: | 0 | Fréquence - Transition:: | 800 MHz |
| Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:: | 120 @ 4mA, 10V | Température de fonctionnement:: | -55°C à 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier:: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit. | Type de montage:: | Monture de surface |
| Série:: | - | Fabricant:: | Uniseme |
Le MMBTH10-4LT1G,de onsemi,est des transistors bipolaires RF. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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