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BFR93AE6327HTSA1

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Image Grand :  BFR93AE6327HTSA1

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Définition: Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

BFR93AE6327HTSA1

description de
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.):: 12 V Catégorie de produit:: Transistors bipolaires RF
Le gain:: 90,5 à 14,5 dB Factory Stock :: 0
Type de transistor:: NPN Quantité minimale:: 3000
Package du fournisseur:: Le SOT-23-3 Figure du bruit (dB Typ @ f):: 1Pour les appareils à haute fréquence, la fréquence de sortie doit être supérieure à 0,5.
Statut de la partie:: Actif Courant - collecteur (Ic) (maximum):: 90mA
Puissance maximale:: 300 mW Emballage:: Tape et bobine (TR)
@ qty :: 0 Fréquence - Transition:: 6 GHz
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:: 70 @ 30mA, 8V Température de fonctionnement:: 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit. Type de montage:: Monture de surface
Série:: - Fabricant:: Infineon Technologies

Le BFR93AE6327HTSA1, de Infineon Technologies, sont des transistors bipolaires RF. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

Coordonnées
Sensor (HK) Limited

Personne à contacter: Liu Guo Xiong

Téléphone: +8618200982122

Télécopieur: 86-755-8255222

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