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MT41K256M16TW-107:P Mémoire à accès aléatoire dynamique 4Gbit Évolutivité

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MT41K256M16TW-107:P Mémoire à accès aléatoire dynamique 4Gbit Évolutivité

MT41K256M16TW-107:P Mémoire à accès aléatoire dynamique 4Gbit Évolutivité
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Image Grand :  MT41K256M16TW-107:P Mémoire à accès aléatoire dynamique 4Gbit Évolutivité

Détails sur le produit: Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1000 pièces
Prix: Negotiated
Le stock: 10000 à 500000 pièces
Méthode de transport: LCL, AIR, FCL, express
Définition: "MT41K256M16TW-107:P" est un numéro de modèle pour une puce DRAM (Dynamic Random Access Memory), spé
Conditions de paiement: T/T

MT41K256M16TW-107:P Mémoire à accès aléatoire dynamique 4Gbit Évolutivité

description de
Capacité de stockage: 4Gbit Largeur de données: 16 bits
Type de colis: FBGA-96
Mettre en évidence:

MT41K256M16TW-107:P Mémoire dynamique à accès aléatoire

,

Évolutivité mémoire à accès aléatoire dynamique

,

Circuits intégrés électroniques 4 Gbits

Le MT41K256M16TW-107:P est une puce DRAM (Dynamic Random Access Memory) produite par Micron, appartenant à la famille DDR3L (Low Voltage DDR3).

Paramètres de base

  • Capacité de stockage: 4Gbit (c'est-à-dire 256M x 16bit)
  • Largeur des données: 16 bits
  • Type de colis: FBGA-96 (Array de grille à billes de haute précision avec 96 broches)
  • Plage de tension: 1,283V à 1,45V (conforme à la plage de basse tension de la norme DDR3L)

Paramètres de performance

  • Fréquence d'horloge: jusqu'à 933 MHz (bien que la fréquence de fonctionnement réelle puisse varier en fonction de la conception du système et des exigences de l'application)
  • Temps d'accès: généralement liée à la fréquence de fonctionnement, mais certaines références mentionnent un temps d'accès de 20 ns (éventuellement une valeur d'essai dans des conditions spécifiques)
  • Plage de température de fonctionnement: Généralement entre 0°C et 95°C, mais les températures minimales de fonctionnement peuvent être aussi basses que -40°C selon différentes sources

Caractéristiques fonctionnelles

  • Compatibilité avec le passé: Prend en charge le fonctionnement à 1,5 V pour la compatibilité avec les dispositifs DDR3
  • Strobe de données bidirectionnelle différentielle: permet une signalisation différentielle pour une meilleure stabilité du signal et une meilleure immunité au bruit
  • L'architecture 8n-Prefetch: Améliore l'efficacité du transfert de données
  • Les entrées différentielles de l'horloge (CK, CK#): Utilise des signaux différentiels d'horloge pour réduire le décalage horaire et le bruit
  • La latence CAS programmable (CL), la latence additive (AL) et la latence d'écriture CAS (CWL): Fournit des réglages de latence flexibles pour répondre aux différents besoins de performance
  • Mode de mise à jour automatique: Permet la mise à jour automatique des données de mémoire pendant les périodes d'inactivité pour éviter la perte de données

Informations complémentaires

  • Conforme à la directive RoHS: répond à la norme RoHS (Restriction of Hazardous Substances), ce qui en fait un produit respectueux de l'environnement
  • Mode de montage: Dispositif de montage de surface (SMD/SMT), adapté aux exigences de miniaturisation et d'intégration des appareils électroniques modernesMT41K256M16TW-107:P Mémoire à accès aléatoire dynamique 4Gbit Évolutivité 0

Coordonnées
Sensor (HK) Limited

Personne à contacter: Liu Guo Xiong

Téléphone: +8618200982122

Télécopieur: 86-755-8255222

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