Le nombre de personnes concernées par les mesures d'urgence est fixé par le règlement (CE) no 1224/2009.

Le NJVMJD350T4G appartient à une puce de transistor à jonction bipolaire (BJT), en particulier un transistor à jonction bipolaire de type PNP. Fabriqué par ON Semiconductor,Cette puce possède un ensemble de spécifications et de caractéristiques de performance spécifiques.

Voici les principales spécifications de la puce NJVMJD350T4G traduite en anglais:

• Voltage maximal collecteur-émetteur (VCEO): 300 V
• Voltage de base maximal du collecteur (VCBO): 300 V
• Voltage de base maximal de l'émetteur (VEBO): 3V
• Courant maximal du collecteur en courant continu (Ic): 500 mA (c'est-à-dire 0,5 A)
• Voltage de saturation du collecteur-émetteur: peut être aussi bas que 1 V dans des conditions spécifiques
• Dissipation de puissance (Pd): 15W maximum
• Produit de gain de bande passante (fT): 10 MHz
• Température de fonctionnement minimale: -65°C
• Température de fonctionnement maximale: + 150°C

En outre, la puce NJVMJD350T4G présente les caractéristiques suivantes:

• Type de colis: Il est généralement fourni dans un emballage DPAK-3 (TO-252-3), adapté aux applications de dispositifs de montage en surface (SMD/SMT).
• Conformité à la directive RoHS: Conforme aux exigences RoHS, ce qui signifie qu'il ne contient ni plomb ni autres substances dangereuses.
• Applications: Conçus pour une utilisation dans les amplificateurs de sortie audio à commande en ligne, les modes de commutation et autres applications nécessitant des fonctions d'amplification et de commutation des transistors.

En résumé,la NJVMJD350T4G est une puce de transistor à jonction bipolaire de type PNP stable et polyvalente largement utilisée dans divers appareils électroniques nécessitant des capacités d'amplification et de commutation de transistors.